19 mar

Simulação de dispositivos

Estudante do segundo ano de doutorado em Engenharia Elétrica na FEI, Arianne Soares desenvolve pesquisa sobre os ‘Modelos analíticos de comportamento elétrico estático para FinFETs’, transistor que utiliza mais de um plano para a condução de corrente. O projeto é orientado pelo professor doutor Renato Giacomini, chefe do Departamento de Engenharia Elétrica da Instituição, que também supervisionou o trabalho de mestrado da engenheira eletricista, concluído em 2012, sobre ‘Modelo analítico de resistência parasitária para FinFETs de porta dupla’. A jovem graduou-se em 2009 e, na Instituição, foi estagiária para projetos desenvolvidos na área no Instituto de Pesquisas Industriais (IPEI). Arianne Soares, que possui bolsa da Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP), estuda a ação de diferentes efeitos em dispositivos de ordem nanométrica, tendência tecnológica na fabricação de transistores. A modelagem dos dispositivos tem como objetivo determinar o grau de confiabilidade dos mesmos e compreende, também, a análise de robustez à radiação ionizante, etapa do projeto em que a doutoranda recebe a colaboração da professora Marcilei Guazzelli. Para avaliar a robustez dos transistores, a estudante realiza testes de simulação computacional que reproduzem um dos principais danos causados em dispositivos submetidos ao ambiente espacial. “O recurso ainda é pouco explorado e, por isso, não é tão bem compreendido”, enfatiza. A simulação consiste na descrição física dos transistores a fim de investigar quais os efeitos da radiação sobre eles. A engenheira relata que a tentativa de reprodução dos resultados da radiação é um recurso para tentar compreendê-la melhor, o que exige aprofundada investigação sobre a ferramenta de simulação.

Recursos

As tecnologias para a realização de testes de simulação são recursos disponíveis no Centro Universitário, que possui computadores com melhores capacidades de processamento e software para essa finalidade. “Nos computadores da FEI, com 24 núcleos, cada simulação leva em torno de 40 horas”, comenta o professor Renato Giacomini. Os resultados obtidos com as simulações serão analisados e, posteriormente, os dispositivos serão submetidos à radiação com objetivo de comparar as respostas obtidas com os dois tipos de testes. Para o uso do simulador é informado ao software o valor da energia que a partícula transfere ao material em que penetra. Com os resultados provenientes dessa investigação, Arianne Soares planeja avaliar o uso de dispositivos empilhados na área de eletrônica e, assim, propor as melhores associações dos transistores. A aluna afirma que existe interesse de pesquisadores e empresas da área, pois as configurações dos dispositivos podem influenciar o seu desempenho. Esta etapa do estudo de doutorado possui relação com o projeto desenvolvido por Robson Magalhães Assis em seu mestrado sobre ‘Estudos dos efeitos transitórios da radiação sobre a confiabilidade de transistores SOI’, finalizado em 2013. Com orientação do professor Renato Giacomini, o profissional formado pela FEI estudou a influência da radiação em dispositivos com tecnologia silíciosobre-isolante (SOI). A engenheira realiza os testes de simulação da radiação ionizante sobre os dispositivos de ordem nanométrica em parceria com o estudante de doutorado em Engenharia Elétrica, André Luiz Perin, que analisa o efeito do campo magnético sobre os dispositivos. Também com orientação do professor Renato Giacomini, o engenheiro da computação investiga os efeitos da radiação ionizante sobre os mesmos dispositivos.

_____________

Matéria publicada na revista Domínio FEI – Nº17 (pág 26)

Comentário fechado

Curta nossa página no Facebook

Twitter